USB输入反接保护芯片PW2605R· 五重防护集成方案
集成 OVP过压保护、输入反接保护、防倒灌、输入短路保护、可调OCP过流保护五大功能，DFN-2x2-8L超小封装，导通内阻仅0.13Ω，专为智能手表、电动牙刷、情趣用品等紧凑可充电产品量身定制。
3.5~30V宽输入电压范围
0.13Ω 超低导通内阻
6.1V固定OVP阈值
2mm²DFN极小封装
USB输入口面临的三大风险
充电接口作为"外部世界"与内部锂电池系统直接接触的端口， 面临过压击穿、反接短路、浪涌冲击等多重风险，一颗四合一保护芯片是产品可靠性提升的必备方案。
过压击穿风险
充电头或适配器异常输出高压，如插错接口、误用 PD/QC高压头、充电头损坏， 导致后级充电IC、锂电池、MCU被过压击穿，造成永久性损坏。
反接短路风险
磁吸、pogo pin式充电接口容易因金属异物、汗液、水滴引起接口短路或正负极反接， 产生瞬间反向电流或负压，损坏电池和充电管理电路。
浪涌冲击风险
低质量充电头插拔瞬间产生大浪涌，可能瞬时拉高 VBUS到十几V甚至20V以上， 对后级灵敏的充电IC和电池管理系统造成不可逆损害。
PW2605R· 五重保护集于一身
平芯微半导体推出的 USB输入口保护芯片，五大保护功能集成于DFN-2x2-8L超小封装， 内部集成NMOS开关管，无需外接MOS，非常适合空间有限的小型可充电产品。
小封装，大保护
PW2605R采用DFN-2x2-8L封装，PCB占用面积极小，仅需一颗小麦粒大小的面积， 完美适应磁吸式、插拔式精密产品内部布局。内部集成NMOS开关管，导通内阻仅0.13Ω， 充电效率高、发热小，无需外接MOS管和肖特基二极管，物料BOM更精简。
宽输入电压 3.5V~30V，兼容5V、PD/QC 9V/12V充电头插入时的高压冲击； 固定6.1V OVP过压保护阈值，输入电压超过阈值后自动关断输出， 防止高压击穿后级充电IC与锂电池。
DFN-2x2-8L集成NMOS免外部MOS工业级温度量产供货
OVP过压保护
固定 6.1V阈值，超压自动关断输出
输入反接保护
VBUS-GND反接自动断开回路
防倒灌
断开后电池不倒充至 VBUS
短路保护
防汗液水滴异物短路损害
可调 OCP过流
外部电阻设定，最大约 2A
三大典型应用场景
专为小型可充电个人护理产品量身定制，完美适配智能手表、电动牙刷、情趣用品等空间紧凑、安全要求高的应用场景。
01智能手表充电口保护
pogo pin、磁吸充电接口金属接点外露，汗液水滴短接、磁吸反接、金属异物接触引脚等风险频发。PW2605R串接于VBUS输入与充电IC之间，异常时自动关断隔离。
pogo pin磁吸充电Type-CBOM降40%
02电动牙刷 USB输入保护
潮湿环境频繁接触水滴，磁吸无线充电座 + USB备用接口双重风险。 可与平芯微PW4056/PW4054锂电池充电管理IC搭配使用，实现全方位保护。
潮湿环境磁吸充电USB备用口配PW4056
03情趣用品反接保护
敏感个人护理产品，安全要求极高。磁吸充电接点错插反接不损坏， IPX7防水内部不允许漏电，DFN-2x2封装完美适应精密产品内部布局。
磁吸充电IPX7防水低发热高安全
典型应用电路与设计建议
VBUS充电输入经芯片VIN引脚接入，VOUT输出接后级充电IC；ILIM引脚串联外部采样电阻到地设定过流阈值；EN引脚可由MCU控制或上VIN自启动。
1去耦电容选型
VIN、VOUT去耦电容建议采用1μF/25V，保证高压浪涌下不击穿，靠近引脚放置。
2ILIM 电阻匹配
ILIM电阻选择需参照datasheet与后级锂电充电电流匹配，预留20%余量，确保限流准确。
3PCB 布局建议
芯片靠近接口放置，短连接口到 VIN，避免长走线受干扰；大电流路径走宽铜，减小压降。
4散热焊盘处理
DFN封装底部散热焊盘需接地平面，确保温升可控，提高长期可靠性。
5防水产品追加保护
若产品需 IPX7防水，建议在PW2605R前端追加TVS二极管（如PWESD-24VSSA）双重保护。
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