芯塔电子最新推出650V/185mΩ多封装SiC MOSFET，为工业与消费级应用提供高性能解决方案。该系列产品兼具高耐压、低损耗与高频开关特性，适用于工业电源、电动汽车充电、光储逆变器等多种场景。
新品提供三种封装选择，满足不同应用场景的安装与散热需求：TM3G0180065N采用DFN5*6封装，适用于高功率密度设计；TM3G0180065E采用TO-252-2封装，具有良好的散热性和焊接可靠性；TM3G0180065F则采用TO-220F-3封装，适合中大功率场景，支持更高的连续电流输出。三款产品均支持-55℃至+175℃的工作温度范围，且符合RoHS环保标准。
产品静态特性优异，栅极阈值电压典型值为3.9V，跨导达到5S，确保了器件的高效驱动能力。在动态特性方面，产品输入电容429pF，输出电容32pF，反向传输电容仅3pF，总栅极电荷14.8nC。开关参数表现突出，导通延迟29.2ns，关断延迟46.1ns，总开关能量低至82.8μJ，有效降低开关损耗，提升系统效率。
产品优势突出：首先，其快速本征二极管具有低反向恢复电荷（典型值68nC），有效减少了开关过程中的能量损耗；其次，器件支持-10V至+22V的宽栅极电压范围，增强了系统设计的灵活性；此外，产品可在-55℃至+175℃的宽温度范围内稳定工作，满足严苛环境下的应用需求。这些特性使得该系列MOSFET特别适用于高频、高效率的功率转换系统，有助于提升系统功率密度，降低散热需求。
该产品系列现已量产供货，欢迎登录芯塔电子官网www.topelectronics.cn或致函芯塔电子销售邮箱sale.topelectronics.cn获取详细技术资料和样品支持。
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