在DC/DC转换器、同步整流等高频开关应用中，功率MOSFET的导通损耗与开关损耗往往是系统效率的关键瓶颈。新洁能（NCE Power）推出的NCEP0218G，凭借独特的Super Trench工艺，在200V耐压等级下实现了极低的导通电阻与栅极电荷组合，为工程师提供了一个兼顾效率与可靠性的理想选择。
产品亮点：
NCEP0218G是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Super Trench技术，其核心优势在于：
- 极低导通电阻RDS(on)：典型值仅70mΩ（VGS=10V），有效减少导通损耗；
- 栅极电荷Qg优化：总栅极电荷18nC，栅漏电荷（Miller电荷）仅4.6nC，开关速度更快；
- 优值系数FOM出色：RDS(on) × Qg的乘积处于同电压等级领先水平，特别适合高频硬开关拓扑。
关键参数速览（Tj=25℃）
| 参数 | 典型值 | 备注 |
| 漏源电压VDS | 200V | 耐压余量充足 |
| 连续漏极电流ID | 18A | 外壳温度25℃时 |
| 脉冲漏极电流IDM | 72A | 峰值能力强劲 |
| 导通电阻RDS(on) | 70mΩ | VGS=10V, ID=18A |
| 输入电容Ciss | 951pF | VDS=100V, 1MHz |
| 上升/下降时间 | 7ns / 4ns | VDD=100V |
| 反向恢复电荷Qrr | 125nC | 体二极管性能稳健 |
100%经过UIS雪崩测试和ΔVds可靠性筛选，确保每颗产品在严苛工况下的耐受能力。
应用场景：
- DC/DC转换器——如通信电源、服务器主板供电；
- 高频开关电路——工作频率可达数百kHz；
- 同步整流——低压大电流输出场合，替换肖特基二极管可显著提升效率；
- 适配器、充电器——追求高功率密度与低温升的消费电子电源。
得益于DFN5×6小型贴片封装，NCEP0218G在有限PCB面积内也能实现大电流传输，同时保持优异的散热性能。
南山电子自2020年起成为新洁能（NCE）的正式授权代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列产品，我们致力于为客户提供专业的产品服务与解决方案。如需获取最新产品信息，请联系南山电子官网在线客服。
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